化学 電気、光学
カテゴリー
日本, その他の国
地理的範囲
利用できません
ビデオリンク
利用できません
販売価格 (USD)
利用できません
通常実施権価格 (USD)
利用できません
専用実施権価格 (USD)
利用できません
通常実施権ロイヤリティレート %
販売、ライセンス種別
パテントファミリー
パテントファミリー数
譲受人 / 権利者
登録日(権利付与済みの場合)
特許公報の公開リンク
追加情報の詳細を見るにはIP Exchange Premiumアカウントにアップグレードする必要があります

Magnetoresistive element

特許 権利維持 Magnetoresistance is the property of a material to change the value of its electrical resistance when an external magnetic field is applied to it. The effect was first discovered by William Thomson (better known as Lord Kelvin) in 1851, but he was unable to lower the electrical resistance of anything by more than 5%. This effect was later called ordinary magnetoresistance (OMR). More recent researchers discovered materials (and multilayer devices) showing giant magnetoresistance (GMR), colossal magnetoresistance (CMR) and tunnel magnetoresistance (TMR).

ライセンスを取得 仲介を申し込む 問い合わせ
photo 追加情報の詳細を見るにはIP Exchange PlusまたはIP Exchange Premiumアカウントにアップグレードする必要があります

関連IP