化学 エレクトロニクス
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Film formation

特許 権利維持 On a surface of a material to be processed, a Mn containing thin film or a CuMn containing alloy thin film is formed by heat treatment (CVD or ALD) by using a Mn containing material gas (or Mn containing material gas and a Cu containing gas) and an oxygen containing gas (for instance, water vapor) as a processing gas.

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