公式タイトルと情報はIP Exchange PlusとPremiumのユーザーのみが利用可能です。
特許 権利維持 Disclosed is a method for producing a GaN material having a higher thermal conductivity. A gallium nitride material is grown by an HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth) method.
追加情報の詳細を見るにはIP Exchange PlusまたはIP Exchange Premiumアカウントにアップグレードする必要があります
