エレクトロニクス
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TMR element

特許 係属中 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a TMR element which can obtain a TMR ratio exceeding 200%, without dependency on manufacturing equipment. ; SOLUTION: Halfmetal layers 1, 2 are composed of Co<SB>2</SB>MnSi, and an insulating layer of an amorphous structure is used. Thus, the insulating layer of an amorphous structure is used whose productivity of a TMR element does not vary dependent on manufacturing equipment.

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